湖南大學(xué)

一、基本情況
鄧林峰，男
湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院助理教授
手機(jī)號(hào)：13507485686
E-mail：lfdeng@hnu.edu.cn
二、學(xué)習(xí)與工作經(jīng)歷
學(xué)習(xí)經(jīng)歷
2008/01–2011/12，香港大學(xué)，工程學(xué)院電機(jī)電子工程系，博士；
2005/09–2007/06，華中科技大學(xué)，光學(xué)與電子信息學(xué)院微電子學(xué)系，碩士；
1999/09–2003/07，合肥工業(yè)大學(xué)，電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院物理系，學(xué)士。
工作經(jīng)歷
2014/10至今,湖南大學(xué)，電氣與信息工程學(xué)院，助理教授
三、主要研究方向
電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）技術(shù)，半導(dǎo)體器件與集成電路，電力電子技術(shù)
四、研究項(xiàng)目
1、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，61404048、基于低頻噪聲的有機(jī)場效應(yīng)晶體管可靠性研究、主持;
2、湖南省自然科學(xué)基金項(xiàng)目，2015JJ3043、基于1/f噪聲的有機(jī)場效應(yīng)晶體管器件可靠性研究、主持。
3、高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)基金項(xiàng)目，20120161120012、有機(jī)薄膜晶體管1/f噪聲機(jī)理與特性研究、主持；
4、湖南大學(xué)青年教師成長計(jì)劃項(xiàng)目，531107040551有機(jī)薄膜晶體管1/f噪聲的物理及電路模型研究、主持。
5、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，51577054、碳化硅雙極結(jié)型晶體管的研究、參加；
6、湖南省自然科學(xué)基金項(xiàng)目，2013WK3033、便攜式高精度電導(dǎo)測(cè)試儀的研究、參加；
7、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，61671203、波束賦形和自適應(yīng)波束調(diào)節(jié)的MIMO測(cè)試關(guān)鍵技術(shù)研究、參加。
五、發(fā)表論文
（1）L.F.Deng,P.T.Lai*,W.B.Chen,J.P.Xu,Y.R.Liu,H.W.Choi,andC.M.Che,EffectsofDifferentAnnealingGasesonPentaceneOTFTWithHfLaOGateDielectric,IEEEElectronDeviceLetters,2011,32,93-95
（2）L.F.Deng,Y.R.Liu,H.W.Choi,J.P.Xu,C.M.Che,P.T.Lai*,EffectsofAnnealingTemperatureandGasonPentaceneOTFTswithHfLaOasGateDielectric,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability*,2012,12,10-15.
（3）L.F.Deng,Y.R.Liu,H.W.Choi,C.M.Che,P.T.Lai*,ImprovedPerformanceofPentaceneOTFTswithHfLaOGateDielectricbyUsingFluorinationandNitridation,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability,2012,12,520-525
（4）L.F.Deng,P.T.Lai*,J.P.Xu,H.W.Choi,W.B.Chen,andC.M.Che,ImprovedPerformanceofPentaceneOTFTwithHfLaOGateDielectricbyAnnealinginNH3,ECSTransactions,2010,33,265-269
（5）鄧林峰,余岳輝*,彭亞斌,周郁明,梁琳,王璐,反向開關(guān)復(fù)合管的物理模型與數(shù)值方法實(shí)現(xiàn),半導(dǎo)體學(xué)報(bào),2007,28(6):931-938
（6）LiuY.R.,Deng,L.F.,Yao,R.H.,Lai,P.T.*,Low-operating-voltagepolymerthin-filmtransistorsbasedonpoly(3-hexylthiophene)withhafniumoxideasthegatedielectric,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability,2010,10,233-238
（7）ChengK.H.,TangW.M.,DengL.F.,LeungC.H.,LaiP.T.*,CheC.M.,Correlationbetweencarriermobilityofpentacenethin-filmtransistorandsurfacepassivationofitsgatedielectric,JournalofAppliedPhysics,2008,104,116107-1--116107-4
（8）Y.R.Liu,P.T.Lai*,R.H.Yao,L.F.Deng,Influenceofoctadecyltrichlorosilanesurfacemodificationonelectricalpropertiesofpolymerthin-filmtransistorsstudiedbycapacitance-voltageanalysis,IEEETransactionsonDeviceandMaterialsReliability,2011,11,60-64
(9)L.F.Deng,P.T.Lai*,Q.B.Tao,H.W.Choi,W.B.Chen,C.M.Che,J.P.Xu,Y.R.Liu,ImprovedPerformanceofLow-voltagePentaceneOTFTsbyIncorporatingLatoHafniumOxideGateDielectric,2010IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC,HongKong,P.R.China,2010.11.11-11.12
(10)DengL.F.,ChoiH.W.,LaiP.T.*,LiuY.R.,XuJ.P.,Low-voltagepolymerthin-filmtransistorswithhigh-kHfTiOgatedielectricannealedinNH3orN2,2009IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC,Xi’an,P.R.China,2009.12.14-12.15.
(11)DengL.F.,TangW.M.,LeungC.H.,LaiP.T.*,XuJ.P.,CheC.M.,Pentacenethin-filmtransistorswithHfO2gatedielectricannealedinNH3orN2O,2008IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolid-StateCircuits,EDSSC,HongKong,P.R.China,,2008.11.20-11-21
(12)鄧林峰,余岳輝*,梁琳,王璐,重頻RSD的關(guān)斷模型研究,中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第十屆學(xué)術(shù)年會(huì),西安,中國,2006.9.23-9.25.