哈爾濱工業大學

根據教育部關于加強碩士研究生招生復試工作的指導意見及學校有關要求，微電子學與固體電子學和集成電路工程2018年碩士研究生招生復試指導確定如下。

一、復試比例及主要內容

1、復試由筆試和面試兩部分組成，外國語聽力考試在面試中進行。復試的總成績為280分，其中筆試200分，面試80分。

2、復試筆試科目

(1)電子線路(數字電子和模擬電子)，占100分。

主要內容：半導體二極管及其基本電路;半導體三極管及其放大電路基礎;場效應放大電路;集成電路運算放大器;反饋放大電路;信號的運算與處理電路;信號的產生電路;直流穩壓電源;邏輯門電路;組合邏輯電路的分析與設計;常用組合邏輯功能器件;觸發器;時序邏輯電路的分析和設計;常用時序邏輯功能器件。

參考書目：1.《基礎電子技術》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年8月第1版。

2.《集成電子技術》，蔡惟錚主編，高等教育出版社，2004年7月第1版。

(2)晶體管原理，占50分。

主要內容：pn結直流特性、空間電荷區和電容、pn結擊穿;雙極型晶體管的基本結構和工作原理、直流特性、頻率特性、開關特性和功率特性的物理基礎;場效應晶體管(包括結型和MOS場效應晶體管)的基本結構、工作原理、直流特性、頻率特性、開關特性和功率特性;MOS場效應晶體管的閾值電壓、短溝道與窄溝道效應以及擊穿特性。

參考書目：1.《微電子器件基礎》蘭慕杰等編,電子工業出版社,2013年版.

2.《微電子技術基礎――雙極、場效應晶體管原理》曹培棟編著，電子工業出版社，2001年第一版。

3.《雙極型與場效應晶體管》武世香編,電子工業出版社,1995年版

(3)半導體集成電路，占50分。

主要內容：典型的集成電路制造工藝流程及原理(雙極工藝和MOS工藝);集成電路中常用的器件結構及其寄生效應;雙極型邏輯集成電路(TTL及單管邏輯門)工作原理、靜態特性、瞬態特性及版圖設計;MOS邏輯集成電路(NMOS、CMOS以及MOS動態電路)工作原理、靜態特性、瞬態特性及版圖設計;各類MOS存儲器的結構及特性;模擬集成電路中常用單元電路的結構、工作原理、性能及模擬集成電路版圖設計特點等。

參考書目：《集成電路設計》，葉以正來逢昌編，清華大學出版社，2016年版。

3、面試主要內容。

(1)從事科研工作的基礎與能力;

(2)綜合分析與語言表達能力;

(3)外語聽力及口語;

(4)大學學習情況及學習成績;

(5)專業課以外其他知識技能的掌握情況;

(6)特長與興趣;

(7)身心健康狀況。