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              西安電子科技大學(xué)

              2025/2026考研輔導(dǎo)網(wǎng)課
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              2018年西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院“優(yōu)研計(jì)劃”暑期夏令營實(shí)施方案

              分類:院校動(dòng)態(tài) 來源:中國考研網(wǎng) 2018-06-22 相關(guān)院校:西安電子科技大學(xué)

              2025考研數(shù)學(xué)全程班 早鳥3班
              26考研全科上岸規(guī)劃營「擇校▪規(guī)劃▪備考」
              西安電子科技大學(xué)2025考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫」

              優(yōu)秀科研人才選拔計(jì)劃(以下簡稱“優(yōu)研計(jì)劃”)是西安電子科技大學(xué)選拔優(yōu)秀碩士研究生、直博生的重要考核方式之一。微電子學(xué)院將于2018年7月20~22日舉辦2018年優(yōu)研計(jì)劃暑期夏令營活動(dòng),旨在為全國高校優(yōu)秀大學(xué)生提供一個(gè)相互交流、學(xué)習(xí)的平臺(tái),讓同學(xué)們進(jìn)一步認(rèn)識(shí)和了解西電的學(xué)習(xí)與生活環(huán)境,感受微電子學(xué)科之科研魅力。

              熱忱歡迎全國各高校優(yōu)秀大學(xué)生參加微電子學(xué)院2018“優(yōu)研計(jì)劃”暑期夏令營活動(dòng)!

              一、學(xué)院簡介

              微電子學(xué)院是我國半導(dǎo)體與集成電路學(xué)科專業(yè)高層次、高素質(zhì)、創(chuàng)新型、復(fù)合型人才的重要培養(yǎng)基地之一,也是我國微電子領(lǐng)域科學(xué)研究、學(xué)術(shù)交流和工程攻關(guān)的重要基地。

              微電子學(xué)院是教育部、國家發(fā)改委、科技部、工業(yè)和信息化部、財(cái)政部、國家外專局等6部門聯(lián)合批準(zhǔn)成立的首批9個(gè)國家示范性微電子學(xué)院之一,2015年在全國示范性微電子學(xué)院的立項(xiàng)評(píng)審中排名與北京大學(xué)并列第一。

              學(xué)院建有國家集成電路人才培養(yǎng)基地,該基地是全國首批批準(zhǔn)的9個(gè)國家集成電路人才培養(yǎng)基地之一,也是教育部、科技部資助的5個(gè)國家集成電路人才培養(yǎng)基地之一,2007年在教育部組織的對(duì)15家基地中期評(píng)估中被評(píng)為優(yōu)秀(全國共有5個(gè)基地被評(píng)為優(yōu)秀)。基地的培養(yǎng)規(guī)模和培養(yǎng)質(zhì)量得到國內(nèi)外同行和相關(guān)企業(yè)的好評(píng)。

              學(xué)院現(xiàn)有2個(gè)博士學(xué)位授予學(xué)科、3個(gè)碩士學(xué)位授予學(xué)科、2個(gè)專業(yè)學(xué)位碩士領(lǐng)域和2個(gè)本科專業(yè)。其中,“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”為國家重點(diǎn)學(xué)科、國家211工程建設(shè)重點(diǎn)學(xué)科和985優(yōu)勢(shì)學(xué)科平臺(tái)建設(shè)重點(diǎn)學(xué)科、教育部“長江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”設(shè)崗學(xué)科,在“電子科學(xué)與技術(shù)”一級(jí)學(xué)科點(diǎn)設(shè)有博士后流動(dòng)站。在各類分專業(yè)研究生學(xué)科評(píng)價(jià)中我院“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”學(xué)科多次排名全國前三。

              微電子學(xué)院現(xiàn)有教職工119人,其中教授31人,副教授43人,具有博士學(xué)位的教師112人,占專任教師總數(shù)的94.12%。現(xiàn)有博士研究生導(dǎo)師33人,碩士生導(dǎo)師71人。

              學(xué)院師資力量雄厚,中青年教師隊(duì)伍實(shí)力在全國高校同類專業(yè)中名列前茅。擁有中國科學(xué)院院士1人、雙聘院士2人,****學(xué)者2人,長江學(xué)者特聘教授1人以及青年****學(xué)者1人。有“何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)”獲得者1人、“國家杰出青年科學(xué)基金”獲得者2人、“國家有突出貢獻(xiàn)專家”1人、國家“百千萬人才工程”及“新世紀(jì)百千萬人才工程”2人、國家“優(yōu)秀青年基金”獲得者2人、教育部“跨世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃”入選者1人、教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”入選者2人、陜西省“三五人才”3人,陜西省教學(xué)名師1人。擁有陜西省教學(xué)團(tuán)隊(duì)2個(gè),國防科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)1個(gè)、校級(jí)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)2個(gè)。

              學(xué)院建有“寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)”國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、“寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件”教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、“信息感知技術(shù)”國家級(jí)2011協(xié)同創(chuàng)新中心核心電子器件分部、陜西省高功率半導(dǎo)體器件和固態(tài)照明2011協(xié)同創(chuàng)新中心、陜西省集成電路與微納器件2011協(xié)同創(chuàng)新中心、集成電路與系統(tǒng)集成陜西省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和陜西省大功率半導(dǎo)體照明工程研究中心,為研究生培養(yǎng)提供了一流的科研平臺(tái)。

              由教育部、國家外國專家局批準(zhǔn)設(shè)立的寬禁帶半導(dǎo)體與微納電子學(xué)創(chuàng)新引智基地,是“十二五”首批高等學(xué)校學(xué)科創(chuàng)新引智計(jì)劃新建引智基地,為研究生國際學(xué)術(shù)交流和聯(lián)合培養(yǎng)提供了優(yōu)越的環(huán)境。

              學(xué)院建設(shè)的集成電路實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心、集成電路設(shè)計(jì)與制造虛擬仿真實(shí)驗(yàn)教學(xué)中心分別被批準(zhǔn)為國家級(jí)實(shí)驗(yàn)教學(xué)示范中心和國家級(jí)虛擬仿真中心,實(shí)驗(yàn)室場地總面積達(dá)7600平方米,儀器設(shè)備總價(jià)值近億元,為學(xué)院的學(xué)科建設(shè)、人才培養(yǎng)、科學(xué)研究提供了良好的設(shè)施條件。目前與Intel、Synopsys、Cadence等國際知名企業(yè)建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,與Intel、三星和臺(tái)積電等微電子行業(yè)跨國巨頭均建立了校企聯(lián)合基地,為研究生開展高水平實(shí)習(xí)實(shí)踐和就業(yè)提供了良好平臺(tái)。

              微電子學(xué)院是國家和國防科研的重要基地之一。學(xué)院的主要科研方向是寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)、高性能片上系統(tǒng)技術(shù)、微納電子器件與可靠性技術(shù)。近年來,承擔(dān)有國家重大專項(xiàng)、國家973計(jì)劃、國家863計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目、國防預(yù)先研究等科研項(xiàng)目100余項(xiàng),人均科研經(jīng)費(fèi)到款額多年來保持全校第一。在GaN基材料及微波功率器件、短距離無線通信系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)、SiC高溫半導(dǎo)體材料與器件、數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)等方面取得多項(xiàng)標(biāo)志性成果。高水平科研工作的蓬勃開展為高質(zhì)量人才的培養(yǎng)創(chuàng)造了優(yōu)越的條件。

              微電子學(xué)院畢業(yè)生就業(yè)率連續(xù)多年達(dá)100%。按照學(xué)生的就業(yè)愿望和志向,就業(yè)渠道主要集中在國外微電子、集成電路著名企業(yè)在國內(nèi)設(shè)立的設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造公司,國家部委所屬微電子、集成電路研究院、所、公司也是畢業(yè)生就業(yè)去向之一。畢業(yè)生就業(yè)地大多集中在北京、上海、深圳、蘇州、無錫、南京和西安等城市。自1959年以來,為國家培養(yǎng)近萬余名微電子相關(guān)人才,產(chǎn)生了兩名省級(jí)領(lǐng)導(dǎo)干部、數(shù)十名科研所領(lǐng)導(dǎo)和知名企業(yè)家,以及數(shù)以千計(jì)的行業(yè)精英。

              微電子、集成電路業(yè)是當(dāng)今社會(huì)、科技發(fā)展的重要?jiǎng)恿χ唬秊槿藗兊墓ぷ鳌W(xué)習(xí)和生活帶來更多輕松、便捷、愉悅。微電子學(xué)院真誠歡迎有志投身我國微電子和集成電路事業(yè)的莘莘學(xué)子踴躍報(bào)考,實(shí)現(xiàn)價(jià)值、回報(bào)社會(huì)、共創(chuàng)輝煌。

              二、接收學(xué)科專業(yè)

              學(xué)院接收夏令營學(xué)生學(xué)科專業(yè)一覽表

              專業(yè)代碼 專業(yè)名稱
              080804 電力電子與電力傳動(dòng)
              080903 微電子學(xué)與固體電子學(xué)
              0809Z2 ★集成電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)
              085209 集成電路工程(全日制)
              085212 軟件工程--集成電路設(shè)計(jì)方向(全日制)
              085212 軟件工程(非全日制)

              三、申請(qǐng)資格

              申請(qǐng)學(xué)生應(yīng)為2015級(jí)全日制在校本科生,必須品德良好、誠實(shí)守信、身心健康、無處分記錄,且本科所學(xué)專業(yè)與擬申請(qǐng)的學(xué)科/領(lǐng)域原則上應(yīng)相同或相近。具體要求如下:

              1.學(xué)業(yè)一貫表現(xiàn)突出的學(xué)生

              英語水平良好,達(dá)到全國大學(xué)英語四級(jí)水平(成績425分以上),且滿足以下條件之一即可:

              (1)985、西電學(xué)生學(xué)業(yè)成績排名須為所在學(xué)院、所在專業(yè)前60%,西電教改班、卓越班學(xué)生學(xué)業(yè)成績排名須為所在專業(yè)前80%;

              (2)其他211高校學(xué)生學(xué)業(yè)成績排名須為所在學(xué)院、所在專業(yè)前50%;

              學(xué)業(yè)成績和排名可依據(jù)本科前5個(gè)學(xué)期或6個(gè)學(xué)期成績,以所在高校教務(wù)部門出具的成績單及證明為準(zhǔn)。

              2.獲得高水平學(xué)科競賽獎(jiǎng)的學(xué)生

              滿足以下條件之一即可:

              (1)ACM/ICPC國際大學(xué)生程序設(shè)計(jì)競賽亞洲區(qū)分站賽金獎(jiǎng)和銀獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;

              (2)全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽國家一等獎(jiǎng)、二等獎(jiǎng)和全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽省級(jí)一等獎(jiǎng)(單數(shù)年)獲獎(jiǎng)學(xué)生;

              (3)全國大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競賽嵌入式系統(tǒng)專題邀請(qǐng)賽、信息安全專題邀請(qǐng)賽和模擬電子系統(tǒng)專題邀請(qǐng)賽國家一等獎(jiǎng)、二等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;

              (4)全國大學(xué)生機(jī)械創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽國家一等獎(jiǎng)、二等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;全國大學(xué)生工程訓(xùn)練綜合能力競賽國家一等獎(jiǎng)、二等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;

              (5)美國大學(xué)生數(shù)學(xué)建模競賽特等獎(jiǎng)、特等獎(jiǎng)提名獎(jiǎng)、一等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;全國大學(xué)生數(shù)學(xué)建模競賽國家一等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;全國大學(xué)生數(shù)學(xué)建模競賽國家二等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)學(xué)生且同時(shí)獲得美國大學(xué)生數(shù)學(xué)建模競賽國際二等獎(jiǎng)以上獎(jiǎng)項(xiàng)1項(xiàng);全國大學(xué)生數(shù)學(xué)競賽全國最高獎(jiǎng)項(xiàng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;

              (6)全國大學(xué)生英語競賽全國最高獎(jiǎng)項(xiàng)獲獎(jiǎng)學(xué)生;

              (7)全國大學(xué)生“挑戰(zhàn)杯”科技作品競賽一等獎(jiǎng)前三名,二等獎(jiǎng)前二名;全國大學(xué)生“挑戰(zhàn)杯”創(chuàng)業(yè)大賽一、二等獎(jiǎng)第一名獲獎(jiǎng)學(xué)生。

              3.獲得高水平研究成果的學(xué)生

              滿足以下條件之一即可:

              (1)發(fā)表高水平學(xué)術(shù)論文

              排名前二作者身份發(fā)表或錄用學(xué)術(shù)論文至少1篇,且必須是《西安電子科技大學(xué)博士研究生學(xué)術(shù)期刊目錄》(2014版)中所列相關(guān)期刊或與申請(qǐng)學(xué)科專業(yè)相關(guān)的學(xué)術(shù)論文。

              (2)專利授權(quán)

              在本科學(xué)習(xí)期間以排名前二作者身份授權(quán)發(fā)明專利。

              (3)具有其他同等高水平成果

              在本科學(xué)習(xí)期間獲得的高水平成果,學(xué)院初審合格上報(bào),學(xué)校組織專家委員會(huì)確認(rèn)成果水平。

              四、報(bào)名材料

              1.“優(yōu)秀科研人才選拔計(jì)劃”申請(qǐng)表1份;

              2.申請(qǐng)學(xué)生身份證和學(xué)生證復(fù)印件(掃描件);

              3.本科階段成績單(前5~6個(gè)學(xué)期)1份,需加蓋教務(wù)部門公章;、

              4.所在高校教務(wù)部門出具的專業(yè)排名(注明專業(yè)總?cè)藬?shù))證明,需簽章,有條件的學(xué)生可提供所在院系教授或?qū)熗扑]意見;

              5.國家英語四、六級(jí)考試成績或TOEFL、GRE/GMAT等體現(xiàn)自身英語水平的證明材料1份;

              6.其它材料,包括獲獎(jiǎng)證書、已發(fā)表或錄用的能體現(xiàn)自身學(xué)術(shù)水平的學(xué)術(shù)論文、出版物或原創(chuàng)性工作成果等。

              五、申請(qǐng)流程

              1.網(wǎng)上報(bào)名

              報(bào)名截止日期為2018年7月10日24:00,請(qǐng)登陸西安電子科技大學(xué)研究生招生考生報(bào)名服務(wù)平臺(tái)http://yjsxt.xidian.edu.cn/pub/index.jsp,網(wǎng)上注冊(cè)后,按說明要求報(bào)名。

              2.入營須知

              學(xué)院根據(jù)報(bào)名情況,擇優(yōu)對(duì)申請(qǐng)學(xué)生所提交的材料進(jìn)行初審和篩選,入選暑期夏令營的學(xué)生名單將于7月12日在西電研究生招生考生報(bào)名服務(wù)平臺(tái)和微電子學(xué)院網(wǎng)站(http://sme.xidian.edu.cn/)發(fā)布。

              (1)報(bào)到時(shí)間:7月20日下午14:00~18:00,報(bào)到地點(diǎn):西安電子科技大學(xué)北校區(qū)東大樓320室。

              (2)提交紙質(zhì)材料:入選學(xué)生報(bào)到時(shí)需攜帶所有報(bào)名材料的紙質(zhì)版,包括“優(yōu)研計(jì)劃”暑期夏令營申請(qǐng)表、身份證正反面復(fù)印件(原件備查)、學(xué)生證首頁信息頁及注冊(cè)頁復(fù)印件(原件備查)、專家推薦函、成績單原件、成績證明原件、英語等級(jí)成績證明復(fù)印件(原件備查)、其他相關(guān)證明材料復(fù)印件。

              注意:請(qǐng)將以上材料按順序裝入檔案袋,并在檔案袋封面注明“2017優(yōu)研計(jì)劃暑期夏令營申請(qǐng)材料”、學(xué)生姓名和申請(qǐng)專業(yè)名稱。

              3.夏令營學(xué)生食宿及補(bǔ)助

              (1)食宿:學(xué)院將為入選學(xué)生提供在校活動(dòng)期間的食宿(注:學(xué)校或家庭所在地是西安的學(xué)生原則上不安排住宿),住宿時(shí)間:7月20日下午14時(shí)~22日中午12時(shí)止;

              (2)交通費(fèi):外地高校學(xué)生請(qǐng)自行預(yù)定往返車票,學(xué)院將資助外地學(xué)生往返西安的火車硬座票或汽車票費(fèi)用,學(xué)生須提供往返車票票據(jù),財(cái)務(wù)報(bào)銷按照學(xué)校財(cái)務(wù)處相關(guān)制度實(shí)報(bào)實(shí)銷。

              (3)保險(xiǎn):學(xué)院為外地高校入選學(xué)生統(tǒng)一購買在校活動(dòng)期間的團(tuán)體意外保險(xiǎn),建議學(xué)生自購旅途意外保險(xiǎn)。

              4.注意事項(xiàng)

              (1)申請(qǐng)學(xué)生須在規(guī)定的申請(qǐng)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行夏令營活動(dòng)的申請(qǐng)。只可填報(bào)一個(gè)申請(qǐng)志愿,不可兼報(bào),申請(qǐng)?zhí)峤缓笮畔⒉豢筛摹?/p>

              (2)若發(fā)現(xiàn)申請(qǐng)材料有虛假成分,即取消入選學(xué)生一切由此獲得的利益,并保留追溯的權(quán)利。

              (3)參加暑期夏令營的學(xué)生必須遵守西安電子科技大學(xué)的相關(guān)規(guī)定,按照統(tǒng)一的安排參加各項(xiàng)活動(dòng),并注意安全。

              (4)入選學(xué)生報(bào)到后要求全程參加夏令營活動(dòng),擅自離營者不頒發(fā)結(jié)業(yè)證明,并取消相關(guān)資助。

              (5)入選學(xué)生在夏令營學(xué)習(xí)期間發(fā)生的醫(yī)療費(fèi)用及因個(gè)人行為導(dǎo)致的意外事故,由營員本人或其派出單位承擔(dān)。

              5.日程安排

              (1)7月20日下午14:00~18:00,在北校區(qū)東大樓320室報(bào)到

              (2)7月21日上午夏令營開營儀式

              (3)7月21日下午導(dǎo)師面對(duì)面交流會(huì),參觀科研實(shí)驗(yàn)室

              (4)7月22日上午綜合面試

              (5)7月22日下午綜合面試

              (6)10月30日公布最終入選“優(yōu)研計(jì)劃”學(xué)生名單

              以上日程安排可能會(huì)調(diào)整,請(qǐng)及時(shí)關(guān)注微電子學(xué)院網(wǎng)站通知。

              六、選拔辦法

              “優(yōu)研計(jì)劃”選拔本著“擇優(yōu)錄取、寧缺毋濫”的原則,在注重學(xué)生一貫表現(xiàn)的基礎(chǔ)上,突出專業(yè)素質(zhì)、創(chuàng)新能力及潛在能力的考查。

              1.資格審查

              學(xué)院審核小組根據(jù)2018年西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院“優(yōu)秀科研人才選拔計(jì)劃”實(shí)施方案嚴(yán)格審核。2018年“優(yōu)研計(jì)劃”合格生源以我校研究生招生平臺(tái)上確認(rèn)為準(zhǔn)。

              2.綜合考核

              “優(yōu)研計(jì)劃”的分為綜合面試、實(shí)踐能力考查等環(huán)節(jié)。

              綜合面試:分組面試(本次優(yōu)研計(jì)劃合格考生,僅按綜合復(fù)試成績排名錄取,不提前確定導(dǎo)師。推免生可提前選擇導(dǎo)師,公開招考生須在研究生入學(xué)考試報(bào)名時(shí),在備注添加:優(yōu)研計(jì)劃+意向?qū)煟瑥?fù)試時(shí)根據(jù)導(dǎo)師情況確認(rèn)錄取)。

              七、錄取

              所有“優(yōu)研計(jì)劃”的申請(qǐng)者均需參加綜合面試,學(xué)院將根據(jù)最終成績的排名,公布結(jié)果并發(fā)放《確認(rèn)接收函》。

              最終成績=本科綜合成績*60%+面試成績*40%

              本科綜合成績=學(xué)業(yè)成績+外語成績+附加分

              附加分:國家或國際科技競賽、學(xué)科競賽一等獎(jiǎng)及以上,3分;

              國家或國際科技競賽、學(xué)科競賽二等獎(jiǎng)及以上,2.5分;

              省級(jí)科技競賽、學(xué)科競賽一等獎(jiǎng)及以上,1.5分;

              校級(jí)一等獎(jiǎng)及省級(jí)二等獎(jiǎng)及以上,0.5分。

              注意:綜合面試不合格者,不予錄取。

              八、優(yōu)惠政策

              (一)復(fù)試錄取優(yōu)惠政策

              “優(yōu)研計(jì)劃”入選學(xué)生:

              1.如獲得所在學(xué)校推薦免試研究生資格,學(xué)院將直接發(fā)放擬錄取通知,推免預(yù)錄取時(shí)復(fù)試成績以“優(yōu)研計(jì)劃”選拔的最終成績?yōu)橐罁?jù)。

              2.未獲所在學(xué)校推薦免試研究生資格學(xué)生,第一志愿須報(bào)考我院,將享受優(yōu)惠政策如下:

              (1)學(xué)業(yè)一貫表現(xiàn)突出的學(xué)生和獲得高水平學(xué)科競賽獎(jiǎng)的學(xué)生:初試成績通過A類地區(qū)國家線即可進(jìn)入復(fù)試;

              (2)獲得高水平研究成果的學(xué)生:初試成績須通過A類地區(qū)國家線,并且總分達(dá)到國家線上20分或?qū)W院所在學(xué)科/領(lǐng)域復(fù)試線即可進(jìn)入復(fù)試;

              (3)報(bào)考非全日制專業(yè)的學(xué)生:初試成績須通過A類地區(qū)國家線,即可進(jìn)入復(fù)試。

              3.復(fù)試錄取流程

              進(jìn)入復(fù)試的“優(yōu)研計(jì)劃”學(xué)生均須參加學(xué)院組織的復(fù)試,復(fù)試合格即可擬錄取。

              (1)報(bào)考類別為學(xué)術(shù)型碩士的學(xué)生,在總分達(dá)到所報(bào)學(xué)科復(fù)試線,且復(fù)試合格,按所報(bào)專業(yè)擬錄取。未達(dá)復(fù)試線上,若符合專業(yè)領(lǐng)域調(diào)劑的,可申請(qǐng)相關(guān)專業(yè)調(diào)劑,復(fù)試合格,可擬錄取為專業(yè)學(xué)位碩士。

              (2)報(bào)考集成電路工程領(lǐng)域的學(xué)生,總分達(dá)到復(fù)試線,且復(fù)試合格,可擬錄取。未達(dá)復(fù)試線上,若符合軟件工程(全日制或非全日制)專業(yè)領(lǐng)域調(diào)劑的,可申請(qǐng)調(diào)劑,復(fù)試合格,可擬錄取。

              (3)報(bào)考軟件工程(集成電路設(shè)計(jì)方向)領(lǐng)域的學(xué)生,總分達(dá)到復(fù)試線,且復(fù)試合格,可擬錄取為全日制或非全日制專業(yè)學(xué)位碩士。

              (二)獎(jiǎng)助金優(yōu)惠政策:

              獲得推薦免試研究生資格學(xué)生:

              1.碩士生第一年,可獲一等學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金,享受導(dǎo)師助研獎(jiǎng)勵(lì)崗位,每月300元助研津貼;

              2.碩士生第一年,對(duì)就讀于26所批準(zhǔn)建設(shè)國家示范性微電子學(xué)院所在高校的推免生和20所國家集成電路人才培養(yǎng)基地依托高校的推免生:

              (1)學(xué)業(yè)成績?cè)谒鶎W(xué)專業(yè)排名前5%的學(xué)生,可獲特等學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金,享受助研津貼500元/月;

              (2)學(xué)習(xí)成績拔尖,并且專業(yè)能力特別突出的學(xué)生,可獲國家獎(jiǎng)學(xué)金,享受助研津貼500元/月;

              3.擬錄取為直博生或彈性直博生,入學(xué)第一學(xué)年可享受一等及以上學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金,按博士生待遇享受助研津貼1200元/月。

              優(yōu)研計(jì)劃入選學(xué)生:

              4.已擬錄取的碩士研究生,申請(qǐng)并確定為2019級(jí)彈性直博生,入學(xué)第一學(xué)年可享受一等學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金及博士助研津貼。

              5.學(xué)業(yè)一貫表現(xiàn)優(yōu)秀的985高校和西電學(xué)生,入學(xué)后第一學(xué)年可優(yōu)先評(píng)選一等學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金(錄取的第一志愿學(xué)生)。

              研究生獎(jiǎng)助金設(shè)置:

              微電子學(xué)院碩士研究生一年級(jí)獎(jiǎng)助金設(shè)置

              獎(jiǎng)助金類別 獎(jiǎng)助金等級(jí) 金額 比例
              國家獎(jiǎng)學(xué)金 / 20000元/年 2.5%
              國家助學(xué)金 / 6000元/年 100%
              學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金 特等 10000元/年 35%
              一等 6000元/年
              二等 2000元/年 60%
              三助一輔
              崗位津貼
              助研 100元/月 100%
              ★1200元/月 直博生或彈性直博生
              ★500元/月 特等學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金推免生
              ★300元/月 推免生
              助教 視工作量而定 根據(jù)崗位需求聘任
              助管 840元/月
              研輔 1200元/月 考核評(píng)優(yōu)+300元
              社會(huì)獎(jiǎng)學(xué)金 由企業(yè)、研究所設(shè)立,獎(jiǎng)勵(lì)金額1000~20000不等

              注意:三助一輔崗位津貼分10個(gè)月發(fā)放。

              九、其它說明

              1.“優(yōu)研計(jì)劃”入選學(xué)生名單,以學(xué)院網(wǎng)站和西電研究生招生平臺(tái)上公布為準(zhǔn),未通過者不再另行通知;

              2.2019級(jí)碩士研究生獎(jiǎng)助政策如有變動(dòng),以學(xué)校文件為指導(dǎo)依據(jù),學(xué)院制定的學(xué)業(yè)獎(jiǎng)學(xué)金原則上就高不就低。

              3.本方案自公布之日起施行,未盡事宜由微電子學(xué)院負(fù)責(zé)解釋。

              十、聯(lián)系方式

              學(xué)校地址:西安市太白南路2號(hào)

              郵政編碼:710071

              辦公地點(diǎn):西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院研究生辦公室

              北校區(qū)東大樓315辦公室

              聯(lián)系電話:029-88202505-602程老師

              029-88202505-604高老師

              西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

              二〇一八年六月十二日

               

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