南京郵電大學

820--《半導體物理》考試大綱

一、基本要求

《半導體物理》碩士研究生入學考試內(nèi)容主要包括半導體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計算;考試命題注重測試考生對相關(guān)的物理基本概念的理解、對基本問題的分析和應(yīng)用，強調(diào)物理概念的清晰和對半導體物理問題的綜合分析。

二、考試范圍

1、半導體中電子狀態(tài)

1.1半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)

1.2半導體中的電子狀態(tài)和能帶

1.3半導體中電子的運動有效質(zhì)量

1.4本征半導體的導電機構(gòu)空穴

1.5回旋共振

1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)

2、半導體中雜質(zhì)和缺陷能級

2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級

2.3缺陷、位錯能級

3、半導體中載流子的統(tǒng)計分布

3.1狀態(tài)密度

3.2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布

3.3本征半導體的載流子濃度

3.4雜質(zhì)半導體的載流子濃度

3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計分布

3.6簡并半導體

4、半導體的導電性

4.1載流子的漂移運動遷移率

4.2載流子的散射

4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4.5玻耳茲曼方程電導率的統(tǒng)計理論

4.6強電場下的效應(yīng)熱載流子

5、非平衡載流子

5.1非平衡載流子的注入和復合

5.2非平衡載流子的壽命

5.3準費米能級

5.4復合理論

5.5陷阱效應(yīng)

5.6載流子的擴散運動

5.7載流子的漂移運動,愛因斯坦關(guān)系式

5.8連續(xù)性方程

6、p-n結(jié)

6.1p-n結(jié)及其能帶圖

6.2p-n結(jié)電流電壓特性

6.3p-n結(jié)電容

6.4p-n結(jié)擊穿

7、金屬和半導體接觸

7.1金屬半導體接觸及其能級圖

7.2肖特基勢壘二極管

8、半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)

8.1表面電場效應(yīng)