北京航空航天大學(xué)

導(dǎo)師詳細(xì)信息

姓名：張千帆

性別：男

出生年份：1983

職稱：副教授

院系：材料科學(xué)與工程學(xué)院

首次聘任導(dǎo)師時間：2015

現(xiàn)聘任導(dǎo)師一級學(xué)科名稱：材料科學(xué)與工程

現(xiàn)聘任導(dǎo)師二級學(xué)科名稱：材料物理與化學(xué)

聘任在第二學(xué)科培養(yǎng)博士生專業(yè)名稱：無

聘任在自主設(shè)置學(xué)科培養(yǎng)博士生專業(yè)名稱：無

主要研究方向及特色：主要從事第一性原理材料計(jì)算相關(guān)研究。所從事的科學(xué)研究均屬國際前沿領(lǐng)域，并已取得重要成果。研究方向包括：（1）能源材料。（2）拓?fù)浣^緣體。（3）層狀結(jié)構(gòu)材料。

電子信箱：qianfan83@gmail.com

辦公電話：82317738

辦公地點(diǎn)：北京航空航天大學(xué)新主樓D336

通信地址：北京市海淀區(qū)學(xué)院路37號北京航空航天大學(xué)新主樓D336

個人簡介：

“卓越百人計(jì)劃”副教授，“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”入選者。2005年畢業(yè)于南京大學(xué)物理系，獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位；2010年畢業(yè)于中國科學(xué)院物理研究所，獲博士學(xué)位；2010-2012年間在美國斯坦福大學(xué)材料科學(xué)與工程系崔屹課題組從事博士后科學(xué)研究工作。

曾在Nature Nanotech.、Phys.Rev.Lett.、Nano Lett.、ACS Nano等國際權(quán)威和高水平學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文6篇。在能源材料計(jì)算領(lǐng)域取得了開創(chuàng)性成果；在全量子化計(jì)算和程序發(fā)展方面做出了突出貢獻(xiàn)；為相關(guān)重大課題研究提供了理論支持。

發(fā)表論文：

1) Q. F. Zhang, Z. Y. Zhang, Z. Y. Zhu, U. Schwingenschlögl, Y. Cui, “Exotic Topological Insulator States and Topological Phase Transitions in Sb2Se3-Bi2Se3 Heterostructures”, ACS Nano 6, 2345 (2012).

2) Q. F. Zhang, Y. Cui and E. G. Wang, “Anisotropic Lithium Insertion Behavior in Silicon Nanowires: Binding Energy, Diffusion Barrier, and Strain Effect”, J. Phys. Chem. C 115, 9376 (2011).

3) Q. F. Zhang, W. X. Zhang, W. H. Wan, Y. Cui and E. G. Wang, “Lithium Insertion in Silicon Nanowires: An ab initio Study”, Nano Lett. 10, 3243 (2010).

4) Q. F. Zhang, G. Wahnström, M. E. Björketun, S. W. Gao and E. G. Wang, “Path Integral Treatment of Proton Transport Processes in BaZrO3”, Phys. Rev. Lett. 101, 215902 (2008).

5) D. S. Kong, Y. L. Chen, J. J. Cha, Q. F. Zhang, J. G. Analytis, K. J. Lai, Z. K. Liu, S. S. Hong, K. J. Koski, S. K. Mo, Z. Hussain, I. R. Fisher, Z. X. Shen, Y. Cui, "Ambipolar field effect in the ternary topological insulator (BixSb1–x)2Te3 by composition tuning", Nature Nanotech. 6, 705 (2011).

6) W. H. Wan, Q. F. Zhang, Y. Cui, E. G. Wang, “First Principles Study of Lithium Insertion in Bulk Silicon”, J. Phys.: Condens. Matter 22, 415501 (2010).