射頻微波功率場效應管的建模與特征 （加）奧恩（Aaen,P） 等著；鮑景富 等譯..
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電子通信培..
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- ISBN：9787121078552
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原價：
￥35.00元
現(xiàn)價：￥0.00元
圖書簡介
品牌：圖書詳情 商品基本信息，請以下列介紹為準 商品名稱： 射頻微波功率場效應管的建模與特征 作者： （加）奧恩（Aaen,P） 等著；鮑景富 等譯 市場價： 35元 文軒網(wǎng)價： 28元【80折】 ISBN號： 9787121078552 出版社： 電子工業(yè)出版社 商品類型： 圖書
其他參考信息（以實物為準） 裝幀：平裝 開本：16開 語種： 出版時間：2008-12-01 版次： 頁數(shù)： 印刷時間：2008-12-01 印次： 字數(shù)：390000 溫馨提示：出版時間超過3年的圖書，因長時間儲存可能會產(chǎn)生紙張缺陷，敬請諒解！
內(nèi)容簡介 本書首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭、焊接裸線、引線等無源部分進行建模和仿真，熱特征的測量仿真與建模；詳細分析了功率管有源部分的復合建模，包括小信號建模、大信號建模，電荷守恒定理，溫度變化條件下的模型建立；還從數(shù)學上分析了集約模型的函數(shù)近似逼近方法，從工程設(shè)計的角度出發(fā)闡述了模型在計算機輔助設(shè)計工具包中的應用，最后對設(shè)計的模型進行了驗證。
此書全面說明了FET建模，是一本從事RF和微波功率放大器設(shè)計及模型領(lǐng)域工作的專業(yè)技術(shù)人員、在學研究生所必備的參考書。
作者簡介 Peter H.Aaen，是建模組經(jīng)理，現(xiàn)在主要負責微波晶體管模型和無源元件的開發(fā)和驗證。
目錄 第1章 射頻微波功率晶體管
1.1 引言
1.2 晶體管建模過程概述
1.3 高功率晶體管的商業(yè)應用回顧
1.4 硅器件技術(shù)發(fā)展
1.5 復合半導體（Ⅲ-Ⅴ族）器件技術(shù)發(fā)展
1.6 FET基本工作原理
1.7 封裝
1.8 未來發(fā)展趨勢與方向
附錄A MESFET中fT的推導
參考文獻
第2章 高功率FET‘集約模型導論
2.1 引言
2.2 物理建模
2.3 集約模型
2.4 記憶效應
2.5 結(jié)論
參考文獻
第3章 電氣測量技術(shù)
3.1 引言
3.2 電參考面
3.3 測量環(huán)境
3.4 模型提取的測量
3.5 驗證過程的測量
參考文獻
第4章 無源器件：仿真和建模
4.1 引言
4.2 封裝
4.3 鍵合引線
4.4 MOS電容建模
4.5 分割技術(shù)應用舉例
參考文獻
第5章 熱特性分析與建模
5.1 引言
5.2 熱傳遞的方式
5.3 熱量測量
5.4 熱仿真
5.5 集約模型
參考文獻
第6章 有源晶體管的建模
6.1 介紹
6.2 復合管與外部各種元件的建模
6.3 標度考慮
6.4 本征晶體管的建模
6.5 在晶體管模型中的頻率離散效應
6.6 包含統(tǒng)計變化的集約模型
6.7 結(jié)束語
參考文獻
第7章 集約模型的函數(shù)逼近
7.1 引言
7.2 函數(shù)及函數(shù)逼近的特性
7.3 函數(shù)逼近的實用方法
7.4 結(jié)論
參考文獻
第8章 模型在CAD工具中的應用
8.1 引言
8.2 各類仿真器回顧
8.3 模型執(zhí)行過程概述
8.4 模型驗證過程
8.5 模型執(zhí)行的類型
8.6 建立一個模型庫
8.7 模型可移植性及其未來發(fā)展趨勢
參考文獻
第9章 模型驗證
9.1 引言
……
縮略語
精彩內(nèi)容 第1章 射頻微波功率晶體管
1.1 引言
雖然無線通信標準會隨著最近數(shù)字編碼技術(shù)或新開發(fā)使用的電磁波波段的發(fā)展而改變，但各種通信系統(tǒng)的共同特征是，它們均要使用功率放大器。在過去的幾十年中，特別是在功率級小于1KW的范圍內(nèi)，從真空電子管或者放大器的其他形式到固態(tài)器件的轉(zhuǎn)變已經(jīng)基本完成了。現(xiàn)在，功率放大器最核心的部分是功率晶體管。
在射頻無線通信領(lǐng)域，基站和長距離發(fā)射機幾乎全部使用硅LDMOs（橫向擴散金屬氧化物晶體管）高功率晶體管。除了在現(xiàn)代蜂窩通信系統(tǒng)中，LDMOs還廣泛應用于需要射頻放大的領(lǐng)域——HF、VHF和UHF通信系統(tǒng)，脈沖雷達，工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）應用，航空電子和最近的WiMAXTM通信系統(tǒng)。這些應用的頻率范圍為從幾MHz至4 GHz以上。
當LDMOS技術(shù)在高功率射頻和微波低頻段應用中占優(yōu)勢的時候，許多種化合物半導體（Ⅲ—Ⅴ簇）被用做有效的功率放大器件，特別使用在頻率高于5 GHz的應用中，同時也使用在低功率應用中，比如蜂窩手持機、藍牙技術(shù)和其他無線局域網(wǎng)絡(luò)（WLAN），這些應用通常要求產(chǎn)生1W或者更小的功率。射頻微波中最常用的復合半導體材料是砷化鎵（GaAs），它在場效應晶體管（比如金屬一半導體FET）、異質(zhì)結(jié)晶體
......
目錄
品牌：圖書
| 商品基本信息，請以下列介紹為準 | |
| 商品名稱： | 射頻微波功率場效應管的建模與特征 |
| 作者： | （加）奧恩（Aaen,P） 等著；鮑景富 等譯 |
| 市場價： | 35元 |
| 文軒網(wǎng)價： | 28元【80折】 |
| ISBN號： | 9787121078552 |
| 出版社： | 電子工業(yè)出版社 |
| 商品類型： | 圖書 |
| 其他參考信息（以實物為準） | ||
| 裝幀：平裝 | 開本：16開 | 語種： |
| 出版時間：2008-12-01 | 版次： | 頁數(shù)： |
| 印刷時間：2008-12-01 | 印次： | 字數(shù)：390000 |
| 溫馨提示：出版時間超過3年的圖書，因長時間儲存可能會產(chǎn)生紙張缺陷，敬請諒解！ | ||
| 內(nèi)容簡介 | |
| 本書首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭、焊接裸線、引線等無源部分進行建模和仿真，熱特征的測量仿真與建模；詳細分析了功率管有源部分的復合建模，包括小信號建模、大信號建模，電荷守恒定理，溫度變化條件下的模型建立；還從數(shù)學上分析了集約模型的函數(shù)近似逼近方法，從工程設(shè)計的角度出發(fā)闡述了模型在計算機輔助設(shè)計工具包中的應用，最后對設(shè)計的模型進行了驗證。 此書全面說明了FET建模，是一本從事RF和微波功率放大器設(shè)計及模型領(lǐng)域工作的專業(yè)技術(shù)人員、在學研究生所必備的參考書。 |
| 作者簡介 | |
| Peter H.Aaen，是建模組經(jīng)理，現(xiàn)在主要負責微波晶體管模型和無源元件的開發(fā)和驗證。 |
| 目錄 | |
| 第1章 射頻微波功率晶體管 1.1 引言 1.2 晶體管建模過程概述 1.3 高功率晶體管的商業(yè)應用回顧 1.4 硅器件技術(shù)發(fā)展 1.5 復合半導體（Ⅲ-Ⅴ族）器件技術(shù)發(fā)展 1.6 FET基本工作原理 1.7 封裝 1.8 未來發(fā)展趨勢與方向 附錄A MESFET中fT的推導 參考文獻 第2章 高功率FET‘集約模型導論 2.1 引言 2.2 物理建模 2.3 集約模型 2.4 記憶效應 2.5 結(jié)論 參考文獻 第3章 電氣測量技術(shù) 3.1 引言 3.2 電參考面 3.3 測量環(huán)境 3.4 模型提取的測量 3.5 驗證過程的測量 參考文獻 第4章 無源器件：仿真和建模 4.1 引言 4.2 封裝 4.3 鍵合引線 4.4 MOS電容建模 4.5 分割技術(shù)應用舉例 參考文獻 第5章 熱特性分析與建模 5.1 引言 5.2 熱傳遞的方式 5.3 熱量測量 5.4 熱仿真 5.5 集約模型 參考文獻 第6章 有源晶體管的建模 6.1 介紹 6.2 復合管與外部各種元件的建模 6.3 標度考慮 6.4 本征晶體管的建模 6.5 在晶體管模型中的頻率離散效應 6.6 包含統(tǒng)計變化的集約模型 6.7 結(jié)束語 參考文獻 第7章 集約模型的函數(shù)逼近 7.1 引言 7.2 函數(shù)及函數(shù)逼近的特性 7.3 函數(shù)逼近的實用方法 7.4 結(jié)論 參考文獻 第8章 模型在CAD工具中的應用 8.1 引言 8.2 各類仿真器回顧 8.3 模型執(zhí)行過程概述 8.4 模型驗證過程 8.5 模型執(zhí)行的類型 8.6 建立一個模型庫 8.7 模型可移植性及其未來發(fā)展趨勢 參考文獻 第9章 模型驗證 9.1 引言 …… 縮略語 |
| 精彩內(nèi)容 | |
| 第1章 射頻微波功率晶體管 1.1 引言 雖然無線通信標準會隨著最近數(shù)字編碼技術(shù)或新開發(fā)使用的電磁波波段的發(fā)展而改變，但各種通信系統(tǒng)的共同特征是，它們均要使用功率放大器。在過去的幾十年中，特別是在功率級小于1KW的范圍內(nèi)，從真空電子管或者放大器的其他形式到固態(tài)器件的轉(zhuǎn)變已經(jīng)基本完成了。現(xiàn)在，功率放大器最核心的部分是功率晶體管。 在射頻無線通信領(lǐng)域，基站和長距離發(fā)射機幾乎全部使用硅LDMOs（橫向擴散金屬氧化物晶體管）高功率晶體管。除了在現(xiàn)代蜂窩通信系統(tǒng)中，LDMOs還廣泛應用于需要射頻放大的領(lǐng)域——HF、VHF和UHF通信系統(tǒng)，脈沖雷達，工業(yè)、科學和醫(yī)療（ISM）應用，航空電子和最近的WiMAXTM通信系統(tǒng)。這些應用的頻率范圍為從幾MHz至4 GHz以上。 當LDMOS技術(shù)在高功率射頻和微波低頻段應用中占優(yōu)勢的時候，許多種化合物半導體（Ⅲ—Ⅴ簇）被用做有效的功率放大器件，特別使用在頻率高于5 GHz的應用中，同時也使用在低功率應用中，比如蜂窩手持機、藍牙技術(shù)和其他無線局域網(wǎng)絡(luò)（WLAN），這些應用通常要求產(chǎn)生1W或者更小的功率。射頻微波中最常用的復合半導體材料是砷化鎵（GaAs），它在場效應晶體管（比如金屬一半導體FET）、異質(zhì)結(jié)晶體 ...... |
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