貴州大學(xué)碩士點(diǎn)專業(yè)介紹：電子科學(xué)與技術(shù)

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電子科學(xué)與技術(shù)

貴州大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科經(jīng)過近50年的發(fā)展，已經(jīng)形成一個(gè)在全國具有一定影響力、在貴州省具有不可替代地位的強(qiáng)勢學(xué)科。

本學(xué)科的總體目標(biāo)是以基礎(chǔ)研究為源泉，以材料帶器件、以器件帶系統(tǒng)，在新型電子材料、新型信息處理器件和集成信息系統(tǒng)領(lǐng)域，為西部的信息產(chǎn)業(yè)以及國防軍工企業(yè)提供本土化的人才支撐、原創(chuàng)性的研究成果。學(xué)科在211建設(shè)經(jīng)費(fèi)、國家特色專業(yè)建設(shè)經(jīng)費(fèi)和貴州省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和重點(diǎn)學(xué)科建設(shè)經(jīng)費(fèi)的支持下，形成了三個(gè)特色鮮明的學(xué)科平臺：

微電子、納電子器件基礎(chǔ)研究、加工和表征平臺（專用設(shè)備總值約1000萬元）；

微電子、納電子信息系統(tǒng)設(shè)計(jì)平臺（專用設(shè)備總值約500萬元）；

微電子、納電子集成和應(yīng)用平臺（專用設(shè)備總值約500萬元）。

依托三個(gè)平臺，有利于在橫向?qū)崿F(xiàn)信息科學(xué)、新材料科學(xué)、先進(jìn)制造技術(shù)的交叉與融合，在縱向?qū)崿F(xiàn)微電子學(xué)、光電子學(xué)、納電子學(xué)的交叉與融合。

本學(xué)科的總體研究方向可概括為微、納信息材料、器件、系統(tǒng)和集成技術(shù)研究和應(yīng)用開發(fā)。近期的主要研究工作包括：先進(jìn)光電子材料與器件，低維半導(dǎo)體特性及機(jī)理研究，集成電路設(shè)計(jì)、特種半導(dǎo)體器件、功率器件與功率集成電路研究和應(yīng)用開發(fā)。

代表性的研究工作舉例如下：

1．在先進(jìn)光電子材料與器件研究方向，謝泉教授的研究團(tuán)隊(duì)從2001年開始開展硅化物光電子材料與器件的研究工作，并在世界上首次測試出β-FeSi2薄膜在強(qiáng)磁場30T下巨磁阻達(dá)到40%，實(shí)驗(yàn)結(jié)果被2003年5月20號的日本工業(yè)新聞報(bào)道。

2．在低維半導(dǎo)體特性及機(jī)理研究方向，丁召教授等做出了高水平的研究成果，在Science，PRL等國際頂級期刊發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文。研究小組發(fā)現(xiàn)硅基量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)造成的能帶變化有增強(qiáng)的光致發(fā)光（PL）發(fā)光。采用脈沖激光加工的方法在硅基上生成量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，并提出相應(yīng)物理模型解釋PL增強(qiáng)發(fā)光乃至受激發(fā)光的機(jī)理。

3．在等離子體與材料相互作用的原位和實(shí)時(shí)分析裝置的研究方面，在國際上首次將低能、低角度離子束散射技術(shù)引入等離子體薄膜沉積和刻蝕機(jī)理的原位和實(shí)時(shí)研究。

4．在超導(dǎo)電子學(xué)方向，研究小組是國際最早采用物理化學(xué)氣相沉積方法成功制備硼化鎂超導(dǎo)薄膜的團(tuán)隊(duì)之一。早在2001年就用化學(xué)氣相沉積兩步法在多晶氧化鋁襯底上制備出轉(zhuǎn)變溫度為35K以上的超導(dǎo)薄膜，甘子釗院士對此給予高度評價(jià)。

5．完成多項(xiàng)為國防重點(diǎn)工程配套的新型電子器件及集成電路產(chǎn)品研制任務(wù)，取得較好的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。