郝智彪博士,教授
通訊地址:北京市海淀區清華大學電子工程系100084 辦公室位置:電子工程館2-305 電話:+86-10-6279-8240,傳真:+86-10-6278-4900 電子郵箱:zbhao@tsinghua.edu.cn
教育背景1996年9月~2001年11月,清華大學電子工程系物理電子學專業,工學博士 1991年9月~1996年7月,清華大學電子工程系物理電子與光電子技術專業,學士
工作履歷2001年11月至今,清華大學電子工程系教師 2006~2007美國加州大學洛杉磯分校訪問學者
講授課程: 本科課程:微波與光波技術基礎 研究生課程:低維半導體量子器件基礎
學術兼職中國電子學會高級會員
研究領域微納結構光電子器件 新型量子結構器件 寬禁帶半導體器件 III-V族化合物半導體的外延生長
近期承擔的主要在研課題: 國家“973”計劃課題,“新型量子級聯探測材料及原理器件” 國家“863”計劃課題,“探測器關鍵技術” 國家自然科學基金面重大國際合作研究項目,“GaN基量子點材料的外延生長和物理特性研究及其器件應用” 國家自然科學基金面上項目,“面向固態量子信息器件的可控半導體量子點制備方法”
研究概況研究量子信息技術關鍵器件,特別是基于半導體量子點和光子晶體微腔的單光子源,研究微腔中的動力學物理問題,發展位置及發光波長可控的量子點制備技術和高精度光子晶體微納加工技術。
研究基于低維半導體量子結構的新型光電子器件及應用技術,特別是極微弱光探測器,包括材料結構和器件結構設計、量子結構中載流子輸運特性、器件制作工藝和評測技術。
研究半導體材料的分子束外延,目前重點氮化物半導體薄膜、納米線、量子點等材料的外延生長。 獎勵與榮譽2010年廣東省科技進步一等獎 2003年山東省科技進步一等獎 2001年中國電子學會最佳論文獎 2005年清華大學“優秀共產黨員” 2005年清華大學“研究生良師益友” 學術成果共發表學術論文100余篇,其中SCI收錄期刊論文60余篇。
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