中國科學技術大學核科學與技術專業(yè)研究生導師介紹：韋世強

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韋世強
單位：國家同步輻射實驗室
地址：合肥市第6022信箱
郵編：230029
電話：+86-551-63601997
個人主頁：http://xafs.nsrl.ustc.edu.cn

個人簡歷  Personalresume 
韋世強，男，教授，博士生導師，國家杰出青年科學基金、中科院“百人計劃”獲得者，973計劃項目首席科學家，創(chuàng)新研究群體科學基金項目學術帶頭人，現任中國科學技術大學國家同步輻射實驗室首席科學家。主要從事同步輻射實驗新方法及其應用的研究工作，

1979--1983年：廣西師范大學化學系本科生；
1986--1992年：中國科學技術大學化學物理系碩士、博士研究生；開始同步輻射XAFS的學習和研究工作；
1992--1994年：中國科學技術大學基礎物理中心博士后，94年晉升為副教授；
1996--1999年：日本的高能物理研究所(KEK,PF)，博士后和客座研究員，參加了日本KEK光子工廠的BL-13B表面XAFS站的建設及應用研究；
1999年：中國科學院“百人計劃”引進回國優(yōu)秀杰出人才，負責主持合肥國家同步輻射實驗室XAFS實驗站的建設和管理工作，晉升為教授；
2008年起任中國科學技術大學國家同步輻射實驗室首席科學家。

獲獎情況：
1998年中科院“百人計劃”獲得者、
2003年獲安徽省“江淮十大杰出青年”稱號，
2004年獲中國科學技術大學“王寬誠育才獎”二等獎，
2007年9月獲國家自然科學杰出青年基金。
2010年11月獲中國科學技術大學第五屆“楊亞校友基金-教育獎”，
2012年10月獲中國科學院朱李月華優(yōu)秀教師獎，
2012年11月獲中國科學院優(yōu)秀研究生指導教師獎。

擔任期刊審稿人或學術組織兼職情況：
《核技術》期刊英文版副主編
我國同步輻射專業(yè)委員會常務理事；
合肥國家同步輻射實驗室學術委員會委員；
北京同步輻射實驗室用戶委員會主任；
上海光源XAFS光束線站用戶專家工作組成員兼工作組召集人；
中國科學技術大學學位委員會委員；
核科學與技術分學位委員會副主任；
安徽省政協常務委員。

韋世強教授帶領的科研小組已有三十多名成員，現組內人員有教師10人、博士后3人、博士研究生9人、碩士研究生10人。2000年組建了合肥XAFS研究中心，首次提出采用積分電荷量測量XAFS信號解決合肥光源低通量存在的低信噪比問題，使得主持改造的XAFS實驗站性能指標達到國際同類水平，研發(fā)了自主知識產權的XAFS數據分析軟件包，為國內培訓了大批XAFS研究人員，為合肥、北京和上海的同步輻射裝置培養(yǎng)了一批技術骨干，建立了一個服務于國內眾多用戶的同步輻射XAFS研究平臺，為許多用戶取得高水平的研究成果起到很好的支撐作用。為了解先進功能材料的反應動力學機理和變化過程，研究組積極開展快時間、高空間和能量分辨的同步輻射新方法的研究，取得了一系列的重要研究成果：
①首次利用高溫原位同步輻射XAFS技術，研究了溫度驅動下釩氧化物金屬-絕緣體相變過程中原子空間結構和電子結構的變化規(guī)律，解決了長期以來對相變機理的爭論；建立和發(fā)展了原位時間分辨XAFS技術研究液相納米顆粒的生長動力學過程，首次提出金納米顆粒初期成核過程中經歷生成二聚體路徑的新觀點；設計并利用聯合在線原位測量的時間分辨XAFS/UV-Vis裝置，觀察到通過改變還原劑的強弱可以操縱還原反應初期成核的路徑，進而實現Pt納米晶形貌的一維和零維形貌的控制合成；還研究了溶劑交換反應脫附由十三個Au原子組成的納米團簇表面覆蓋的硫醇分子的動力學過程，觀察到Au團簇原子排列的對稱性從二十面體到立方八面體的轉變；這些成果為設計和合成新型功能材料提供了實驗和理論基礎。
②在太陽能光解水方面近期取得一系列重要研究成果，我們提出一種通過形成“矢量遷移通道”的能級結構，通過將一層2~3nm厚的Fe2TiO5窄禁帶(2.2eV)半導體材料包覆在高度有序的TiO2納米管陣列表面，成功地將光生空穴從材料內部定向遷移到表面催化反應活性位點，使得Fe2TiO5/TiO2復合結構在400-600nm波長范圍的量子轉換效率高達40%以上。再之，我們還合成了自支撐的4個原子層厚度的ZnSe納米片，其光電轉換效率在450nm的可見光波長達到42.5%。并利用直接液相剝離的方法獲得了自支撐3原子層厚的SnS2單層結構，在420nm單色光照射下，可獲得高達38.7%的光電轉化效率。基于廉價的TiO2半導體材料，設計了一種N-S陰陽離子共摻雜的改性模式，能夠有效的傳輸可見光激發(fā)的光生空穴。整體可見光下的轉換效率提高了5倍，進一步的，制備出ZnO@S摻雜ZnO類核/殼納米復合材料，提出表面層摻入S原子產生俘獲空穴的能級，抑制了光生電子-空穴復合，從而提高了能量轉化率達8倍左右。
③在研究稀磁半導體中，首次采用XAFS結合第一性原理的方法研究其磁性金屬離子在晶格中的分布情況及其磁性來源；近期，利用量子點核殼結構Co摻雜ZnO表面包覆ZnS或Ag2S殼層實現調控摻雜磁性離子能級在帶隙間的相對位置，進而操縱磁相互作用；同時，利用低溫模板生長法得到了半晶胞厚的阿爾法-Fe2O3納米片，實現了反鐵磁性-鐵磁性的轉變。同樣的，制備出4個原子層厚度MoS2納米片，在層狀非磁性材料中通過S空位誘導產生帶有2µB磁矩的相變，并使之實現鐵磁性耦合。同時利用XAFS方法闡明了過渡金屬離子在單分子磁性材料中調控自旋態(tài)機理；發(fā)現了Mn摻雜NiO的“價態(tài)依賴操縱的磁性物質”。在研究半導體量子體系的結構中，首次提出了優(yōu)化的多重散射XAFS方法研究中心原子的高配位殼層結構，得到國際同行的認可和稱贊。