南京大學(xué)理學(xué)院研究生導(dǎo)師介紹：鄭有炓

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鄭有炓，半導(dǎo)體材料與器件物理專家。1935年10月1日生于福建大田，1957年畢業(yè)于南京大學(xué)物理系，現(xiàn)任南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授，2003年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料與器件物理研究，近年主要致力于寬禁帶半導(dǎo)體光電子材料與器件研究。

首次觀測(cè)到AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣舒勃尼科夫-德哈斯效應(yīng)（SdH）雙周期振蕩,揭示量子阱雙子帶占據(jù)和子能帶間電子散射及高溫下高階子帶電子輸運(yùn)散射機(jī)制；揭示壓電極化和摻雜對(duì)二維電子氣濃度和空間分布的影響規(guī)律；創(chuàng)新發(fā)展了基于極化誘導(dǎo)的AlGaN/GaN增強(qiáng)型MIS場(chǎng)效應(yīng)器件、硅基AlGaN/GaN/AlGaNMSM紫外探測(cè)器和藍(lán)寶石基光導(dǎo)型紫外探測(cè)器；提出壓電調(diào)控的金屬/鐵電體/氮化物半導(dǎo)體的新型復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)，開(kāi)辟發(fā)展GaN-MFS器件新途徑；創(chuàng)新發(fā)展了鍺硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延和高選擇性GeSi/Si化學(xué)腐蝕技術(shù)；發(fā)現(xiàn)應(yīng)變鍺硅合金有序化新結(jié)構(gòu)，提出有序結(jié)構(gòu)新模型;創(chuàng)新發(fā)展了具有極高光電響應(yīng)度的能隙階梯緩變結(jié)構(gòu)鍺硅紅外探測(cè)器；提出基于鍺硅技術(shù)制備SiO2/Si量子限制的硅量子線及自限制氧化制備超精細(xì)硅量子線新方法；在II-VI/III-V族半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)研究上，首次觀測(cè)到CdTe/InSb復(fù)合結(jié)構(gòu)界面存在高遷移率二維電子氣及二維電子氣占據(jù)子帶規(guī)律。研究成果獲得國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)、國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)1項(xiàng)、江蘇省科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、江蘇省人才培養(yǎng)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)和技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)各一項(xiàng)。還先后獲得省部級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)8項(xiàng)以及國(guó)防科工委光華科技基金獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、國(guó)家863計(jì)劃先進(jìn)工作者一等獎(jiǎng)。