2020年天津工業(yè)大學(xué)815半導(dǎo)體集成電路考研初試大綱及參考書(shū)目

• 2025考研復(fù)試伴學(xué)班
• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
• 2026考研英語(yǔ)全程班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營(yíng)「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 天津工業(yè)大學(xué)2025考研專(zhuān)業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫(kù)」

天津工業(yè)大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試業(yè)務(wù)課考試大綱

科目編號(hào)：815 科目名稱(chēng)：半導(dǎo)體集成電路

一、考試的總體要求

“半導(dǎo)體集成電路”是微電子技術(shù)專(zhuān)業(yè)的主干課程，全面系統(tǒng)地介紹半導(dǎo)體集成電路的基本原理、基本電路和基本分析方法。目的是考察考生對(duì)基本理論、基本知識(shí)、基本技能及分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。

這門(mén)課要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識(shí)和基本電路模型、雙極和MOS數(shù)字集成電路的特性，以及MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，使學(xué)生具有運(yùn)用理論基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行定性和定量分析具體電路的能力。

二、考試的內(nèi)容及比例

1. 半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識(shí)(占50分)

1)雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)：掌握雙極集成電路的制造工藝和埃伯斯-莫爾模型及其推導(dǎo)過(guò)程，理解集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)。

2)MOS集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)：掌握MOSFET晶體管、CMOS及Bi-CMOS集成電路的制造工藝，理解MOS集成電路中的有源寄生效應(yīng)。

3)集成電路中的無(wú)源元件：理解集成電阻器和電容器以及互聯(lián)線的作用，了解電阻器和電容器的制作方法。

2. 數(shù)字集成電路的特性及分析方法(占70分)

1)MOS晶體管的基本原理與MOS反相器電路：掌握MOS晶體管的電學(xué)特性，以及MOS反相器的作用和原理，理解MOS反相器的差異和功能。

2)CMOS靜態(tài)門(mén)電路：掌握基本CMOS靜態(tài)門(mén)及復(fù)合邏輯門(mén)的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，理解MOS管的串并聯(lián)特性，了解CMOS靜態(tài)門(mén)電路的功耗和延遲分析。

3)傳輸門(mén)邏輯和動(dòng)態(tài)邏輯電路：掌握基本的傳輸門(mén)和傳輸門(mén)邏輯電路結(jié)構(gòu)，理解各種MOS邏輯結(jié)構(gòu)的工作原理、差異和作用，了解動(dòng)態(tài)邏輯電路中存在的問(wèn)題及其解決方法。

4)時(shí)序邏輯電路：掌握電荷的存儲(chǔ)機(jī)理，理解各種鎖存器和寄存器的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用方法及技巧，了解寄存器的應(yīng)用及其時(shí)序約束。

5)MOS邏輯功能部件：掌握各種MOS邏輯功能部件的構(gòu)成原理，了解各種MOS邏輯部件的使用方法和技巧。

3. 模擬集成電路基礎(chǔ)：(占30分)

1)模擬集成電路中的特殊元件：掌握MOS可變電容器、集成雙極型晶體管和集成MOS管的結(jié)構(gòu)和工作原理。

2)MOS晶體管及雙極晶體管的小信號(hào)模型：掌握MOS晶體管及雙極晶體管的小信號(hào)模型。

3)模擬集成電路中的基本單元電路：掌握恒流源電路和基準(zhǔn)電壓源電路的結(jié)構(gòu)和基本原理，掌握單級(jí)放大器和差動(dòng)放大器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。

三、試卷的題型及比例

考試題型包括名詞解釋題(30分)、簡(jiǎn)答題(50分)、論述題(40分)、計(jì)算綜合題(30分)，滿分150分。

四、考試形式及時(shí)間

考試形式為筆試，時(shí)間為三小時(shí)。

五、主要參考教材

余寧梅，楊媛，潘銀松，《半導(dǎo)體集成電路》，科學(xué)出版社，2011.07。