以新型半導體材料與器件為主要研究方向,完成了以 GaN 為代表的Ⅲ-Ⅴ族半導體化合物的界面結構與發光特性的關系、一維半導體納米材料( GaN、ZnO、TiO2等)的制備與表征、高亮度發光二極管極其半導體照明器件等研究工作。先后完成國家自然科學基金1項、山西省自然科學基金項目1項。獲山西省級科技進步一等獎1項,省部級成果鑒定2項。在國際與國內刊物發表研究論文10余篇(其中SCI、Ei 收錄8篇),授權國家發明專利6項,授權5項。
承擔項目:
代表性論文(專著、教材):
[1] He xia, Liu Hairui, Liangjian, Dong Hailiang etal, Synthesis and Photocatalytic Properties of ZnO/In2O3Heteronanostructures, Journal of Inorganic Materials, 2014 , 29 (3) :264-268(通訊作者)
[2] He xia, Liangjian, Dong Hailiang, et al. Preparation of ZnO/ZnSe Nanostructures and Their Photocatalytic Properties Under Visible Light Irradiation. Chemical Journal of Chinese Universities, 2014 , 35 (3) :455-460. (通訊作者)
[3] Liang J, Zhang C X, Dong H L, et al. Ag/ZnO/ZnSe Heteronanostructure: Synthesis and Photocatalytic Properties with Visible Light Irradiation[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2015, 31(2):260-266.