2021年西安交通大學849半導體物理與器件考研參考書目及考試大綱

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從西安交通大學研究生招生信息網(wǎng)獲悉，2021年全國碩士研究生招生考試西安交通大學849半導體物理與器件參考書目及考試大綱公布，內(nèi)容如下：

2021年半導體物理與器件（849）考試大綱

考試科目：半導體物理

考試形式和試卷結(jié)構(gòu)

一、試卷滿分及考試時間

試卷滿分為150分，考試時間為180分鐘．

二、試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)

半導體物理　約75%

半導體器件約25%

三、試卷題型結(jié)構(gòu)

簡答題                                10道題 共100分

解答題（包括畫圖、計算等）            5道題，共50分

考試范圍

1.半導體中的電子狀態(tài)

2.半導體中雜質(zhì)和缺陷能級

3.半導體中載流子的統(tǒng)計分布

4.半導體的導電性

5.非平衡載流子

6.PN結(jié)

7.金屬和半導體接觸

8.半導體表面和MIS結(jié)構(gòu)

9.異質(zhì)結(jié)的基礎概念

10.半導體的光學性質(zhì)

11.霍耳效應

參考書目：

《半導體物理學 (第七版)》劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社，2011年3月1日出版，ISBN:9787121129902