2016華中科技大學半導體光電器件（二）考研大綱

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華中科技大學碩士研究生入學考試《半導體光電器件（二）》考試大綱

（科目代碼：906）

一、考試說明

1.考試性質

該入學考試是為華中科技大學電子科學與技術一級學科招收碩士研究生而設置的。它的評價標準是高等學校優秀本科畢業生能達到的及格或及格以上水平，以保證被錄取者具有較好的電子技術理論基礎。

考試對象為參加全國碩士研究生入學考試的考生。

3.評價目標

本課程考試的目的是考察學生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用其解決光電器件技術領域相關問題的能力。

4.考試形式與試卷結構

（1）答卷方式：閉卷，筆試。

（2）答題時間：180分鐘。

（3）各部分內容的考查比例：滿分150分。

固體物理20%

半導體物理80%

（4）題型：以分析、計算題為主。

二、考察要點

1.晶體結構與能帶理論

晶向、晶面、晶體點陣，點群的基本概念，幾種固體結合的特性，晶格振動，光學波、聲學波，晶格熱傳導，倒易空間，布里淵區

2.半導體基本概念

金屬、半導體和絕緣體的區分，禁帶寬度，摻雜類型與濃度計算，晶體缺陷，費米分布函數，本征和雜質半導體的載流子濃度，電導率與遷移率及其與雜質濃度和溫度的關系，非平衡載流子的壽命與復合，載流子的遷移與擴散

3.半導體同質與異質結

PN結及其能帶圖，PN結電流電壓特性，PN結電容與擊穿，歐姆接觸和肖特基接觸，表面態和MIS結構的CV特性，半導體異質結及其能帶結構，半導體量子阱，GaN機半導體異質結構

4.半導體的光、電、熱效應及其器件

半導體光學常數和光吸收，光電導和光電探測器，半導體發光和發光二極管，熱電效應和溫差電動勢，太陽能電池與場效應晶體管工作原理及表征。